文献
J-GLOBAL ID:200902076676581560
整理番号:91A0045505
液体窒素温度動作に対し最適化した1μm高速CMOS IC技術
1μm high speed CMOS IC technology optimized for liquid nitrogen temperature operation.
著者 (2件):
LI Y
(Shanghai Inst. Metallurgy, Academia Sinica, Shanghai, CHN)
,
ZHANG M
(Shanghai Inst. Metallurgy, Academia Sinica, Shanghai, CHN)
資料名:
Cryogenics
(Cryogenics)
巻:
30
号:
Suppl
ページ:
551-555
発行年:
1990年09月
JST資料番号:
D0115B
ISSN:
0011-2275
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)