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文献
J-GLOBAL ID：200902087499160593
整理番号：90A0139509
0.5μm表面のホットキャリア退化と埋込みチャネルPMOSFET
Hot carrier degradation of 0.5μm surface and buried channel PMOS FETs.
MITSUI K
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
,
KUSUNOKI S
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
,
ODA H
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
,
TSUKAMOTO K
(Mitsubishi Electric Corp., Itami)
資料名：
Extended Abstracts of the 21st Conference on Solid State Devices and Materials, 1989
(Extended Abstracts of the 21st Conference on Solid State Devices and Materials, 1989)
ページ： 473-476 発行年： 1989年
JST資料番号： K19890622 ISBN： 4-930813-35-2 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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