文献
J-GLOBAL ID:200902090648428678
整理番号:92A0283731
高信頼性高性能LDD・MOSFETの再酸化窒化酸化物側壁によるホットキャリア耐性構造
Hot-carrier-resistant structure by re-oxidized nitrided oxide sidewall for highly reliable and high performance LDD MOSFETs.
著者 (5件):
KUSUNOKI S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUKAMOTO K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
AKASAKA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1991
ページ:
649-652
発行年:
1991年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)