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文献
J-GLOBAL ID:200902096317511700   整理番号:91A0635727

ZnSe/GaAsヘテロ原子価界面 界面ミクロ構造と電気的特性

ZnSe/GaAs heterovalent interfaces:interface microstructure versus electrical properties.
著者 (7件):
QIU J
(Purdue Univ., Indiana, USA)
MENKE D R
(Purdue Univ., Indiana, USA)
KOBAYASHI M
(Purdue Univ., Indiana, USA)
GUNSHOR R L
(Purdue Univ., Indiana, USA)
QIAN Q-D
(Purdue Univ., Indiana, USA)
LI D
(Purdue Univ., Indiana, USA)
OTSUKA N
(Purdue Univ., Indiana, USA)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 111  号: 1/4  ページ: 747-751  発行年: 1991年05月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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