文献
J-GLOBAL ID:200902103780847609
整理番号:99A0050604
2nmの極薄ゲート酸化膜を持つ四分の一マイクロメートルの二ゲート相補的金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
Subquarter-micrometer Dual Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor with Ultrathin Gate Oxide of 2 nm.
著者 (6件):
SHIMIZU M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ARIMA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ABE H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
HAMAGUCHI C
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
37
号:
11
ページ:
5926-5931
発行年:
1998年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)