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文献
J-GLOBAL ID：200902108633696893
整理番号：98A0655380
III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか ハイドライドVPE,MOVPEによるGaN ELO成長
Crystal Growth of III-Group Nitride-Semiconductors. Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN by Hydride Vapor Phase Epitaxy and Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
笹岡千秋
(NEC 光超高周波デバイス研)
,
砂川晴夫
(NEC 光超高周波デバイス研)
,
木村明隆
(NEC 光超高周波デバイス研)
,
碓井彰
(NEC 光超高周波デバイス研)
,
酒井朗
(NEC 基礎研)
資料名：
日本結晶成長学会誌
(Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 25 号： 2 ページ： 99-105 発行年： 1998年
JST資料番号： F0452B ISSN： 0385-6275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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