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文献
J-GLOBAL ID：200902110849670362
整理番号：95A0212533
64Mb以上用の対称ソース/ドレイン構造を持つ新埋込みチャネルフラッシュメモリセル
New Buried Channel FLASH Memory Cell with Symmetrical Source/Drain Structure for 64Mbit or beyond.
ODA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyougo, JPN)
,
UENO S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyougo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyougo, JPN)
,
TSUBOUCHI N
(Mitsubishi Electric Corp., Hyougo, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1994 ページ： 69-70 発行年： 1994年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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