文献
J-GLOBAL ID:200902117962979471
整理番号:02A0194660
ディープサブ0.25μm部分空乏化SOI MOSFETの駆動電流と短チャネル効果に対する浮遊ボデイ効果
Clarification of Floating-Body Effects on Drive Current and Short Channel Effect in Deep Sub-0.25μm Partially Depleted SOI MOSFETs.
著者 (8件):
MATSUMOTO T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEDA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
HIRANO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
EIKYU K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YAMAGUCHI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEGAWA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
49
号:
1
ページ:
55-60
発行年:
2002年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)