文献
J-GLOBAL ID:200902120107825654
整理番号:00A0897554
DRAMメモリセルの保持時間を維持するためのスケーリング・ガイドライン
Scaling Guideline of Dram Memory Cells for Maintaining the Retention Time.
著者 (3件):
UENO S
(Mistubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INOUE Y
(Mistubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mistubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2000
ページ:
84-85
発行年:
2000年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)