文献
J-GLOBAL ID:200902130278083775
整理番号:96A0443693
低濃度ドープのドレイン構造をもつ高信頼性で1/4ミクロン以下のサイズの金属-酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)における窒素イオン注入の効果
Impact of Nitrogen Implantation on Highly Reliable Sub-Quarter-Micron Metal Oxide Field-Effect Transistors (MOSFETs) with Lightly Doped Drain Structure.
著者 (6件):
SHIMIZU S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUSUNOKI S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OKUMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
35
号:
2B
ページ:
802-806
発行年:
1996年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)