文献
J-GLOBAL ID:200902131010362082
整理番号:97A0008682
UHV-CVDによるGe/Siのヘテロエピタクシーのその場偏光解析法によるモニタ
UHV-CVD Ge/Si(100) heteroepitaxy monitored by in situ ellipsometry.
著者 (4件):
LARCIPRETE R
(ENEA, Frascati(RM), ITA)
,
COZZI S
(ENEA, Frascati(RM), ITA)
,
MASETTI E
(ENEA, Santa Maria di Galeria, (RM), ITA)
,
MONTECCHI M
(ENEA, Santa Maria di Galeria, (RM), ITA)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
102
ページ:
52-56
発行年:
1996年08月
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)