文献
J-GLOBAL ID:200902131016665745
整理番号:96A0448666
同位体追跡法を用いて調べたN2O中で作製した薄い誘電体膜の乾式酸化のメカニズム
Dry oxidation mechanisms of thin dielectric films formed under N2O using isotopic tracing methods.
著者 (5件):
GANEM J-J
(Univ. Paris 6 et 7, Paris, FRA)
,
RIGO S
(Univ. Paris 6 et 7, Paris, FRA)
,
TRIMAILLE I
(Univ. Paris 6 et 7, Paris, FRA)
,
BAUMVOL I J R
(UFRGS, RS, BRA)
,
STEDILE F C
(UFRGS, RS, BRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
68
号:
17
ページ:
2366-2368
発行年:
1996年04月22日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)