文献
J-GLOBAL ID:200902131025386883
整理番号:99A0940797
Al/SRO/Siダイオードの電気特性の新しい実験的観察とアニーリング効果
New experimental observations on the electrical characteristics of the Al/SRO/Si diode, and annealing effects.
著者 (5件):
ACEVES M
(INAOE(Electr<span style=text-decoration:overline> ́o</span>nica), Pue, MEX)
,
FALCONY C
(CIEA-IPN(Fisica), Mexico)
,
REYNOSO J A
(CICESE ENSENADA, B.C., MEX)
,
CALLEJA W
(INAOE(Electr<span style=text-decoration:overline> ́o</span>nica), Pue, MEX)
,
PEREZ R
(INAOE(Electr<span style=text-decoration:overline> ́o</span>nica), Pue, MEX)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
2
号:
2
ページ:
173-183
発行年:
1999年07月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)