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文献
J-GLOBAL ID:200902131025386883   整理番号:99A0940797

Al/SRO/Siダイオードの電気特性の新しい実験的観察とアニーリング効果

New experimental observations on the electrical characteristics of the Al/SRO/Si diode, and annealing effects.
著者 (5件):
ACEVES M
(INAOE(Electr<span style=text-decoration:overline> ́o</span>nica), Pue, MEX)
FALCONY C
(CIEA-IPN(Fisica), Mexico)
REYNOSO J A
(CICESE ENSENADA, B.C., MEX)
CALLEJA W
(INAOE(Electr<span style=text-decoration:overline> ́o</span>nica), Pue, MEX)
PEREZ R
(INAOE(Electr<span style=text-decoration:overline> ́o</span>nica), Pue, MEX)

資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)

巻:号:ページ: 173-183  発行年: 1999年07月 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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