文献
J-GLOBAL ID:200902131037155160
整理番号:94A0124717
中性子を照射したMOVPE成長N-GaAsエピ層におけるUバンドの構造
Structure of the U-band in neutron irradiated MOVPE grown N-GaAs epilayers.
著者 (3件):
WEBB J B
(National Research Council Canada, Ottawa, CAN)
,
YOUSEFI G H
(National Research Council Canada, Ottawa, CAN)
,
KHANNA S M
(National Research Council Canada, Ottawa, CAN)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
29
号:
22
ページ:
1994-1996
発行年:
1993年10月28日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)