文献
J-GLOBAL ID:200902131037478520
整理番号:93A0739509
Molecular Beam Epitaxy technology for selective area embedded InGaAs layers in InP substrates.
著者 (7件):
GEORGAKILAS A
(Univ. Maryland, MD, USA)
,
CHRISTOU A
(Univ. Maryland, MD, USA)
,
ZEKENTES K
(Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), Crete, GRC)
,
TSAGARAKI K
(Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), Crete, GRC)
,
HALKIAS G
(Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), Crete, GRC)
,
LEFEBVRE P
(Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA)
,
ALLEGRE J
(Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
1851
ページ:
138-148
発行年:
1993年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)