文献
J-GLOBAL ID:200902131041537220
整理番号:01A1048390
ガス蒸着法で堆積させたナノ多孔質石英薄膜の誘電率と多孔性との相関
Correlation between the dielectric constant and porosity of nanoporous silica thin films deposited by the gas evaporation technique.
著者 (6件):
SI J J
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
ONO H
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
UCHIDA K
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
NOZAKI S
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
MORISAKI H
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
ITOH N
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
79
号:
19
ページ:
3140-3142
発行年:
2001年11月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)