文献
J-GLOBAL ID:200902131045433225
整理番号:98A0240635
Si3N4/SiO2界面における過剰のけい素
Excess silicon at the Si3N4/SiO2 interface.
著者 (4件):
GRITSENKO V A
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
PETRENKO I P
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
SVITASHEVA S N
(Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
WONG H
(City Univ., HKG)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
72
号:
4
ページ:
462-464
発行年:
1998年01月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)