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文献
J-GLOBAL ID：200902131051506196
整理番号：00A0845183
ギガスケール集積回路に用いる,マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高ロバスト性超薄シリコン窒化膜の低温成長
Highly Robust Ultrathin Silicon Nitride Films Grown at Low-Temperature by Microwave-Excitation High-Density Plasma for Giga Scale Integration.
SEKINE K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAITO Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HIRAYAMA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 7 ページ： 1370-1374 発行年： 2000年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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