文献
J-GLOBAL ID:200902131054522796
整理番号:96A0278736
InAs/AlSb共鳴トンネルダイオードの障壁厚さの光電子放出振動測定
Photoemission oscillation measurement of barrier thickness for InAs/AlSb resonant tunneling diodes.
著者 (4件):
ZINCK J J
(Hughes Res. Lab., California)
,
CHOW D H
(Hughes Res. Lab., California)
,
SCHULMAN J N
(Hughes Res. Lab., California)
,
DUNLAP H L
(Hughes Res. Lab., California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
68
号:
10
ページ:
1406-1408
発行年:
1996年03月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)