文献
J-GLOBAL ID:200902131055452112
整理番号:02A0506519
クラスタビーム蒸着によるSi基板上のGeエピタクシー成長の研究
Study of Ge epitaxial growth on Si substrates by cluster beam deposition.
著者 (2件):
XU J L
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
FENG J Y
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
240
号:
3/4
ページ:
407-414
発行年:
2002年05月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)