文献
J-GLOBAL ID:200902140294996697
整理番号:00A0897590
0.24μmピッチ以降のアイソレーションのための逆狭チャネル効果を抑制する最新のシャロートレンチアイソレーション
Advanced Shallow Trench Isolation to Suppress the Inverse Narrow Channel Effects for 0.24μm Pitch Isolation and Beyond.
著者 (8件):
HORITA K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ITOH Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIOZAWA K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
EIKYU K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
GOTO K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INOUE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2000
ページ:
178-179
発行年:
2000年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)