文献
J-GLOBAL ID:200902145463042330
整理番号:97A0015558
サブクォータミクロンCMOS・LDD・FETに対する窒素注入による表面近接ゲッタリングと窒化酸化膜側壁スペーサの影響
Impact of Surface Proximity Gettering and Nitrided Oxide Side-Wall Spacer by Nitrogen Implantation on Sub-Quarter Micron CMOS LDD FETs.
著者 (7件):
SHIMIZU S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KAWASAKI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUSUNOKI S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OKUMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1995
ページ:
859-862
発行年:
1995年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)