文献
J-GLOBAL ID:200902146343148875
整理番号:02A0442183
UNITY II-IEMプラズマ源における窒化けい素層エッチング中,チェンバー安定性への巨視的パターン密度とO2が及ぼす影響
Effects of Macroscopic Pattern Density and O2 Addition on Chamber Stability during Silicon Nitride Layer Etching in UNITY II-IEM Plasma Source.
著者 (8件):
BACK W S
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
,
KIM K H
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
,
KIM J I
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
,
LEE J H
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
,
WON Y S
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
,
CHOI S H
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
,
HWANG C H
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
,
LEE D H
(Hynix Semiconductor Inc., Chungchongbuk-do, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
41
号:
4A
ページ:
1915-1919
発行年:
2002年04月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)