文献
J-GLOBAL ID:200902147060690955
整理番号:00A0427671
集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
Coulomb blockade phenomena in Si MOSFETs with nano-scale channels fabricated by focused-ion beam implantation.
著者 (4件):
安田幸夫
(名古屋大 大学院)
,
泉川健太
(名古屋大 大学院)
,
酒井朗
(名古屋大 大学院)
,
財満鎮明
(名古屋大 先端技術共同研セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
99
号:
615(ED99 290-305)
ページ:
7-11
発行年:
2000年02月09日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)