文献
J-GLOBAL ID:200902147472193182
整理番号:00A0461175
ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
Analysis and Improvement of Limited Current Drivability in Floating Partially-Depleted SOI MOSFET’s.
著者 (7件):
松本拓治
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
前田茂伸
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
平野有一
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
山口泰男
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
前川繁登
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
犬石昌秀
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
西村正
(三菱電機 ULSI技開セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
99
号:
681(SDM99 225-234)
ページ:
1-6
発行年:
2000年03月13日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)