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文献
J-GLOBAL ID：200902151667914167
整理番号：02A0501648
高エネルギー平行ビームによる90nmノード埋込みスタティックランダムアクセスメモリ用の先進の後退ウェル技術
Advanced Retrograde Well Technology for 90-nm-Node Embedded Static Random Access Memory Using High-Energy Parallel Beam.
YAMASHITA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KITAZAWA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KAWASAKI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TAKASHINO H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INOUE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 4B ページ： 2399-2403 発行年： 2002年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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