文献
J-GLOBAL ID:200902154554655121
整理番号:96A0443707
サブ1/4ミクロン領域のソース/ドレイン不均一ドープチャネル(NUDC)MOSFETの信頼性
Reliability of Source-to-Drain Non-Uniformly Doped Channel (NUDC) MOSFETs for Sub-Quarter-Micron Region.
著者 (6件):
SHIRAHATA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OKUMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ABE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
35
号:
2B
ページ:
874-881
発行年:
1996年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)