文献
J-GLOBAL ID:200902158066358695
整理番号:00A0479714
0.15μm以下のゲート長を持つ高性能でSCE免疫性のpMOSFETに対する<100>チャネル方向の効果
Effect of 《100〉 Channel Direction for High Performance SCE Immune pMOSFET with Less Than 0.15μm Gate Length.
著者 (9件):
SAYAMA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIDA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ODA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OISHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIMIZU S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUNIKIYO T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SONODA K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INOUE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1999
ページ:
657-660
発行年:
1999年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)