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文献
J-GLOBAL ID：200902158536231700
整理番号：00A0573686
ボデイ(電位)を固定できる部分トレンチ分離(PTI)法を用いた,バルクでのレイアウトと整合性を持った0.18μmSOI-CMOS技術
Bulk-Layout-Compatible 0.18μm SOI-CMOS Technology Using Body-Fixed Partial Trench Isolation (PTI).
HIRANO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEDA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MATSUMOTO T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IWAMATSU T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YAMAGUCHI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IPPOSHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEGAWA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Proceedings. IEEE International SOI Conference
(Proceedings. IEEE International SOI Conference)
巻： 1999 ページ： 131-132 発行年： 1999年
JST資料番号： W0784A ISSN： 1078-621X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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