文献
J-GLOBAL ID:200902159335532970
整理番号:02A0247616
デュアルオフセット構造を有する135GHz fmax SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
70 nm SOI-CMOS of 135 GHz fmax with Dual Offset-Implanted Source-Drain Extension Structure for RF/Analog and Logic Applications.
著者 (9件):
松本拓治
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
太田和伸
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
平野有一
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
佐山弘和
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
岩松俊明
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
山本和也
(三菱電機 システムLSI事業統括セ)
,
加藤隆幸
(三菱電機)
,
山口泰男
(三菱電機 ULSI技開セ)
,
犬石昌秀
(三菱電機 ULSI技開セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
101
号:
573(SDM2001 213-226)
ページ:
31-36
発行年:
2002年01月22日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)