文献
J-GLOBAL ID:200902159931164423
整理番号:97A0572108
0.25μm以下のプレーナ化LOCOSに及ぼす高圧乾燥O2酸化の影響
The Impact of High Pressure Dry O2 Oxidation on Sub-Quarter Micron Planarized LOCOS.
著者 (7件):
YAMASHITA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
UCHIDA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KOMORI S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KOBAYASHI K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1996
ページ:
821-824
発行年:
1996年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)