文献
J-GLOBAL ID:200902164148006584
整理番号:97A0693968
レトログレード井戸およびエピタキシャル層を持つn+pダイオード中のキャリア収集効率の制御
Control of Carrier Collection Efficiency in n+p Diode with Retrograde Well and Epitaxial Layers.
著者 (5件):
KISHIMOTO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKAI M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OHNO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
6A
ページ:
3460-3462
発行年:
1997年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)