文献
J-GLOBAL ID:200902165025971273
整理番号:93A0660385
Photoluminescence study of Si1-xGex/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition.
著者 (3件):
TERASHIMA K
(NEC Corp., Tsukuba, JPN)
,
TAJIMA M
(Inst. Space and Astronautical Science, Sagamihara, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Tsukuba, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
11
号:
3
ページ:
1089-1096
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)