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文献
J-GLOBAL ID：200902165075269804
整理番号：02A0348292
高電力絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)における熱効果に対する三次元TLMシミュレーション法
A Three-Dimensional TLM Simulation Method for Thermal Effect in High Power Insulated Gate Bipolar Transistors.
HOCINE R
(Univ. Sci. and Technol. Oran Algeria)
,
BOUDGHENE STAMBOULI M A
(Univ. Sci. and Technol. Oran Algeria)
,
SAIDANE A
(ENSET)
資料名：
Proceedings. IEEE Annual Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium
(Proceedings. IEEE Annual Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium)
巻： 18th ページ： 99-104 発行年： 2002年
JST資料番号： T0978A ISSN： 1065-2221 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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