文献
J-GLOBAL ID:200902165095548238
整理番号:94A0686294
電気伝導度のその場測定によって検知された結晶シリコンのイオン照射中の欠陥の集積
Defect accumulation during ion irradiation of crystalline Si probed by in situ conductivity measurements.
著者 (4件):
BATTAGLIA A
(Univ. Catania, Catania, ITA)
,
COFFA S
(Univ. Catania, Catania, ITA)
,
PRIOLO F
(Univ. Catania, Catania, ITA)
,
SPINELLA C
(Inst. Metodologie e Tecnologie per la Microelettronica, CNR, Catania, ITA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
65
号:
3
ページ:
306-308
発行年:
1994年07月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)