文献
J-GLOBAL ID:200902165130761730
整理番号:94A0610212
AlInAs/GaInAs/InP系二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタの設計でのコレクタドーピングの重要性
Importance of collector doping in the design of AllnAs/GaInAs/InP double heterojunction bipolar transistors.
著者 (6件):
HAFIZI M
(Hughes Research Lab., California)
,
LIU T
(Hughes Research Lab., California)
,
STANCHINA W E
(Hughes Research Lab., California)
,
RENSCH D B
(Hughes Research Lab., California)
,
LUI M
(Hughes Research Lab., California)
,
BROWN Y K
(Hughes Research Lab., California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
64
号:
24
ページ:
3261-3263
発行年:
1994年06月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)