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文献
J-GLOBAL ID：200902165134755246
整理番号：00A0672609
PMOS素子のゲート電極への窒素注入による薄いゲート酸化膜を通るほう素の浸透の抑制
Suppression of boron penetration through thin gate oxides by nitrogen implantation into the gate electrode of PMOS devices.
HERDEN M
(Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
BAUER A J
(Fraunhofer Inst. Integrated Circuits-Device Technol. (IIS-B), Erlangen, DEU)
,
RYSSEL H
(Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 40 号： 4/5 ページ： 633-636 発行年： 2000年04月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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