文献
J-GLOBAL ID:200902165182174921
整理番号:99A0094068
広範囲の温度における6H SiC中ののドナーのEPRスペクトル
EPR spectrum of donors in 6H SiC in a broad temperature range.
著者 (4件):
KALABUKHOVA E N
(Inst. Physics of Semiconductors, National Acad. Sci. Ukraine, Kiev, UKR)
,
LUKIN S N
(Inst. Physics of Semiconductors, National Acad. Sci. Ukraine, Kiev, UKR)
,
GROMOVOI YU S
(Inst. Physics of Semiconductors, National Acad. Sci. Ukraine, Kiev, UKR)
,
MOKHOV E N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名:
Physics of the Solid State
(Physics of the Solid State)
巻:
40
号:
10
ページ:
1653-1657
発行年:
1998年10月
JST資料番号:
W0823A
ISSN:
1063-7834
CODEN:
PSOSED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)