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文献
J-GLOBAL ID：200902166129290215
整理番号：02A0615234
フェムト秒レーザー照射による強磁場中に置かれた半導体からの高強度テラヘルツ電磁波の発生
大竹秀幸
(分子科研)
,
矢野隆行
(分子科研)
,
村上英利
(分子科研)
,
猿倉信彦
(分子科研)
,
西島元
(東北大 金属材料研)
,
渡辺和雄
(東北大 金属材料研)
資料名：
東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告
(Annual Report. High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University)
巻： 2001 ページ： 133-135 発行年： 2002年06月
JST資料番号： X0986A 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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