文献
J-GLOBAL ID:200902171825700480
整理番号:94A0313962
高信頼性高性能な0.25μmデュアルゲートCMOSのための斬新なNICE(Nitrogen Implantation into CMOS Gate Electrode and Source-Drain)構造
Novel NICE(Nitrogen Implantation into CMOS Gate Electrode and Source-Drain) Structure for High Reliability and High Performance 0.25μm Dual Gate CMOS.
著者 (7件):
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YAMAGUCHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIRAHATA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OKUMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KAWASAKI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUBOUCHI N
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1993
ページ:
325-328
発行年:
1993年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)