文献
J-GLOBAL ID:200902174545245337
整理番号:02A0633860
100nm世代以降のSOC用のサブ1μm2高密度埋込SRAM技術
Sub-1μm2 High Density Embedded SRAM Technologies for 100nm Generation SOC and Beyond.
著者 (9件):
TOMITA K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
HASHIMOTO K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INBE T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OASHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYANAGA I
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
KAJIYA A
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
OGURA M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2002
ページ:
14-15
発行年:
2002年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)