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文献
J-GLOBAL ID：200902176643575585
整理番号：95A0447889
高信頼性・高性能サブ・クォータμmデュアルゲートCMOSのための高度にドープしたポリSiゲートへの窒素注入のインパクト
The Impact of Nitrogen Implantation into Highly Doped Polysilicon Gates for Highly Reliable and High-Performance Sub-Quarter-Micron Dual-Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor.
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KOBAYASHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIRAHATA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OKUMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUSUNOKI S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUBOUCHI N
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34 号： 2B ページ： 771-775 発行年： 1995年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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