文献
J-GLOBAL ID:200902182730633958
整理番号:99A0120654
ディープサブミクロン領域におけるゲート/重畳したN-に僅かにドープしたドレインのスケーラビリティ
Scalability of Gate/N- Overlapped Lightly Doped Drain in Deep-Submicrometer Regime.
著者 (5件):
SHIMIZU M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MITSUI K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ARIMA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
HAMAGUCHI C
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
37
号:
12A
ページ:
6340-6347
発行年:
1998年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)