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文献
J-GLOBAL ID：200902182802895928
整理番号：97A0320283
金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに及ぼすp+ポリシリコンゲートへの窒素注入の効果
The Effects on Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Properties of Nitrogen Implantation into p+ Polysilicon Gate.
YASUOKA A
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIMIZU S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIRAHATA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OKUMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INOUE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 2 ページ： 617-622 発行年： 1997年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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