文献
J-GLOBAL ID:200902182864223373
整理番号:95A0212552
P+ポリシリコンゲートへの窒素イオン注入のゲート酸化膜特性に対する影響
The effects of nitrogen implantation into P+ poly-silicon gate on gate oxide properties.
著者 (7件):
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUSUNOKI S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIRAHATA M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OKUMURA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KOBAYASHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUBOUCHI N
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1994
ページ:
107-108
発行年:
1994年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)