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文献
J-GLOBAL ID：200902184038164835
整理番号：98A0109782
純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用
Generation of High-purity Ozone Beam and Its Application to the Formation of Ultra-thin Silicon Dioxide Film.
一村信吾
(電総研)
,
野中秀彦
(電総研)
,
黒河明
(電総研)
,
中村健
(電総研)
資料名：
表面科学
(JSSSJ)
巻： 18 号： 12 ページ： 766-774 発行年： 1997年12月
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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