前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902198039954385
整理番号：02A0210693
ボデイ固定型部分トレンチ分離を用いた,バルクレイアウトと互換性のある0.18μm SOI-CMOS技術
Bulk-Layout-Compatible 0.18-μm SOI-CMOS Technology Using Body-Tied Partial-Trench-Isolation(PTI).
HIRANO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEDA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NII K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IWAMATSU T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IPPOSHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KAWASHIMA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEGAWA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 12 ページ： 2816-2822 発行年： 2001年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。