文献
J-GLOBAL ID:200902199516591199
整理番号:96A0963723
Channel Engineering in Sub-quarter-micron MOSFETs Using Nitrogen Implantation for Low Voltage Operation.
著者 (6件):
FURUKAWA A
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ABE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIMIZU S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TOKUDA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1996
ページ:
62-63
発行年:
1996年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)