文献
J-GLOBAL ID:200902200738752725
整理番号:06A0265829
選択面積MOVPEにより作製した単層InxGa 1-xAs/GaAs量子井戸を有する六角柱
Hexagonal Pillars with single InxGa1-xAs/GaAs Quantum Well Fabricated by Selective Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
著者 (3件):
YANG Lin
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MOTOHISA Junichi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUKUI Takashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻:
53rd
号:
1
ページ:
319
発行年:
2006年03月22日
JST資料番号:
Y0054A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)