文献
J-GLOBAL ID:200902204909363345
整理番号:03A0538640
電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析-ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価-
Analysis of Stressed-Gate SiO2 Films with Electron Injection by Conducting Atomic Force Microscopy-Microscopic observation for Degradation Mechanism of Gate SiO2 Films-
著者 (6件):
世古明義
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
渡辺行彦
(豊田中研)
,
近藤博基
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
酒井朗
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
財満鎮明
(名古屋大 先端科学技術共同研セ)
,
安田幸夫
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
103
号:
148(SDM2003 50-61)
ページ:
1-6
発行年:
2003年06月26日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)